Transistörler - IGBT - Tekil
ISL9V2040D3S
IGBT 430V 10A 130W TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9V2040D3S
ISL9V2040D3S Hakkında
ISL9V2040D3S, onsemi tarafından üretilen bir tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 430V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 130W güç derecelendirmesine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olan ISL9V2040D3S, 4V gate voltajında 6A akımda 1.9V Vce(on) değerine sahiptir. 12nC gate charge ve 3.64µs turn-off gecikmesi özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Motor kontrol, güç kaynakları ve indüktif yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bu IGBT, logic giriş türüne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Gate Charge | 12 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 130 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Td (on/off) @ 25°C | -/3.64µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok