Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRLHS6376TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN

Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRLHS6376

IRLHS6376TRPBF Hakkında

IRLHS6376TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate geriliminde 63mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 2.8nC gate charge ve 270pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 6-PQFN paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve düşük voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılan bir elektronik bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok