Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRLHS6376TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- IRLHS6376
IRLHS6376TR2PBF Hakkında
IRLHS6376TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında maksimum 3.6A drain akımı sağlayan bu bileşen, logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajlarında çalışabilir. 63mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 6-VDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu çift kanal transistör, güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve gerilim regülatörü uygulamalarında kullanılır. 2.8nC gate charge ve 270pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 1.5W güç tüketiminde çalışabilir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok