Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRLHS6276TR2PBF

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

Paket/Kılıf
6-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRLHS6276

IRLHS6276TR2PBF Hakkında

IRLHS6276TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistöridir. 20V Drain-to-Source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 45mOhm On-Resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-pin PowerVDFN (PQFN) surface mount paketinde sunulmaktadır. Düşük kapasitans (310pF) ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güç yönetimi uygulamalarında, LED sürücülerde ve çeşitli anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. Maksimum güç disipasyonu 1.5W olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok