Transistörler - IGBT - Tekil

IRGSL4B60KD1PBF

IGBT NPT 600V 11A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRGSL4B60KD1

IRGSL4B60KD1PBF Hakkında

IRGSL4B60KD1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V durdurma gerilimi ve 11A sabit collector akımı ile çalışan bu bileşen, maksimum 22A pulslu akım kapasitesine sahiptir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, through-hole montajı desteklemektedir. 12nC gate charge ve 73µJ açılış / 47µJ kapanış switching enerjisi ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, AC/DC güç dönüştürücülerinde ve şarj cihazlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Bileşen artık üretilmemekte olup, mevcut stoklar tükenene kadar tedarik edilebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 11 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 22 A
Gate Charge 12 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power - Max 63 W
Reverse Recovery Time (trr) 93 ns
Supplier Device Package TO-262
Switching Energy 73µJ (on), 47µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/100ns
Test Condition 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok