Transistörler - IGBT - Tekil
IRGS8B60KPBF
IRGS8B60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGS8B60
IRGS8B60KPBF Hakkında
IRGS8B60KPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi ayrık IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown gerilimi ve 28A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. D2Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 167W maksimum güç seviyesinde çalışabilir. 2.2V on-state voltajı (15V gate gerilimi, 8A collector akımında) ve 23ns/140ns on/off gecikmesi sayesinde orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve ısıtma kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 28 A |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 34 A |
| Gate Charge | 29 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 167 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 160µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/140ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok