Transistörler - IGBT - Tekil

IRGS6B60KPBF

IGBT, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRGS6B60KPBF

IRGS6B60KPBF Hakkında

IRGS6B60KPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 13A collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 90W maksimum güç dağıtımına ve -55°C ile +150°C arasında çalışmaya sahiptir. 2.2V Vce(on) ve 18.2nC gate charge özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrollerinde ve güç yönetimi devrelerde tercih edilir. 25ns açılış ve 215ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama yapabilen bu IGBT, 400V/5A test koşullarında ölçülmüştür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 13 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 26 A
Gate Charge 18.2 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 90 W
Supplier Device Package PG-TO263-3-901
Switching Energy 110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns
Test Condition 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok