Transistörler - IGBT - Tekil

IRGS6B60KDTRLP

IGBT 11A, 600V, N CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRGS6B60KD

IRGS6B60KDTRLP Hakkında

IRGS6B60KDTRLP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 11A nominal collector akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. NPT (Non-Punch Through) tipi teknoloji ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi, kompakt tasarımlar için uygundur. 25ns on-time ve 215ns off-time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vce(on) değeri 2.2V @ 15V gate voltajında ölçülmüştür. 90W maksimum güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konvertörleri gibi anahtarlama devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 13 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 26 A
Gate Charge 18.2 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 90 W
Reverse Recovery Time (trr) 70 ns
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns
Test Condition 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok