Transistörler - IGBT - Tekil

IRGS4B60KD1TRRP

IGBT 600V 11A 63W D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRGS4B60KD1T

IRGS4B60KD1TRRP Hakkında

IRGS4B60KD1TRRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi ile tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 11A collector akımı ve 63W güç yönetiminde çalışabilir. D2PAK yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında düşük geçiş enerjisi (73µJ açılış, 47µJ kapanış) ve kısa geçiş zamanları (22ns açılış, 100ns kapanış) sunmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Şu anda üretim dışı (Obsolete) olan bu IGBT, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 11 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 22 A
Gate Charge 12 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 63 W
Reverse Recovery Time (trr) 93 ns
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 73µJ (on), 47µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/100ns
Test Condition 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok