Transistörler - IGBT - Tekil
IRGS4715DPBF
IGBT 650V D2-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGS4715D
IRGS4715DPBF Hakkında
IRGS4715DPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 21A DC collector akımı ve 24A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 8A akımda 2V olup, düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 650V collector-emitter gerilimi ile orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılır. Switching energy değerleri (200µJ on, 90µJ off) ile verimli enerji dönüşümü gerçekleştirir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 86 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 200µJ (on), 90µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok