Transistörler - IGBT - Tekil
IRGS4715DPBF
IGBT WITH RECOVERY DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGS4715D
IRGS4715DPBF Hakkında
IRGS4715DPBF, recovery diode entegre edilmiş bir IGBT transistörüdür. 650V collector-emitter breakdown voltajı, 21A maksimum collector akımı ve 30nC gate charge ile çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 8A'de 2V'tur. 100W maksimum güç derecelemesi ile güç elektronikleri devrelerinde, motor sürücüleri, inverterler ve SMPS uygulamalarında tercih edilir. TO-263 D²Pak yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 86ns reverse recovery time ve 200µJ (on) / 90µJ (off) switching energy özellikleriyle verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 86 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 200µJ (on), 90µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok