Transistörler - IGBT - Tekil

IRGS4620DPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRGS4620D

IRGS4620DPBF Hakkında

IRGS4620DPBF, entegre recovery diodlu bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kollektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 32A DC kollektor akımı ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 140W güç dissipasyonuna kapaklıdır. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 25nC gate charge değeri ve 31ns/83ns (açılış/kapanış) switching delay süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarına olanak tanır. 68ns reverse recovery time ve 75µJ (on) / 225µJ (off) switching energy değerleri ile motor sürücüleri, dc-dc konverterleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaya uyygundur. Parça obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 32 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 36 A
Gate Charge 25 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 140 W
Reverse Recovery Time (trr) 68 ns
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 75µJ (on), 225µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 31ns/83ns
Test Condition 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok