Transistörler - IGBT - Tekil

IRGS30B60KTRRP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRGS30B60K

IRGS30B60KTRRP Hakkında

IRGS30B60KTRRP, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponenttir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 78A maksimum kollektör akımı ve 370W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 102nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar; 46ns turn-on ve 185ns turn-off gecikmesi ile çalışır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. İndüktif yüklerin anahtarlanması, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel sürüş uygulamalarında kullanılır. Standard input tipi giriş sürücüleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 78 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 102 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 370 W
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 350µJ (on), 825µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 46ns/185ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok