Transistörler - IGBT - Tekil
IRGS15B60KDPBF
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGS15B60K
IRGS15B60KDPBF Hakkında
IRGS15B60KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 31A DC collector akımı kapasitesi ve 208W maksimum güç yönetimi özelliğine sahiptir. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile tasarlanmış olup, standart gate input türüne sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında hizmet verir. 34ns açılış ve 184ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-AC konvertörlerde, motor sürücü devrelerde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Ürün halen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 62 A |
| Gate Charge | 56 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 208 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 220µJ (on), 340µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/184ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok