Transistörler - IGBT - Tekil
IRGR3B60KD2TRP
IRGR3B60 - INSULATED GATE BIPOLA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGR3B60
IRGR3B60KD2TRP Hakkında
IRGR3B60KD2TRP, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistör (IGBT) olup, anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 600V drenaj-kaynak diyot gerilimi ile 7.8A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 2.4V Vce(on) değeri ve 13nC gate charge ile verimli anahtarlama sağlar. Endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7.8 A |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 15.6 A |
| Gate Charge | 13 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power - Max | 52 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 77 ns |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Switching Energy | 62µJ (on), 39µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/110ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok