Transistörler - IGBT - Tekil

IRGR2B60KDTRRPBF

IGBT NPT 600V 6.3A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRGR2B60KD

IRGR2B60KDTRRPBF Hakkında

IRGR2B60KDTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 6.3A maksimum kollektör akımı ve 8A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 12nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olup, 11ns açılış ve 150ns kapanış gecikmesi sağlar. 35W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi bulunan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vce(on) voltajı 15V gate geriliminde 2A akımda 2.25V olarak belirtilmiştir. 74µJ açılış ve 39µJ kapanış switching enerjileri ile endüstriyel sürücü, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılan bu komponent, 68ns reverse recovery time ile etkili anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 8 A
Gate Charge 12 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 35 W
Reverse Recovery Time (trr) 68 ns
Supplier Device Package D-Pak
Switching Energy 74µJ (on), 39µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 11ns/150ns
Test Condition 400V, 2A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok