Transistörler - IGBT - Tekil

IRGPF50F

IGBT FAST 900V 51A TO-247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRGPF50F

IRGPF50F Hakkında

IRGPF50F, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 900V collector-emitter breakdown voltajı ve 51A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247AC paketinde gelen bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel switching uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar. Maksimum 200W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 51 A
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 W
Supplier Device Package TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok