Transistörler - IGBT - Tekil

IRGP6660D-EPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRGP6660D

IRGP6660D-EPBF Hakkında

IRGP6660D-EPBF, entegre recovery diode'u ile birlikte gelen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 95A maksimum kolektör akımı ve 144A pulslu kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 330W maksimum güç yönetimi kapasitesi sayesinde güç dönüştürme, motor kontrol, welding ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketindeki bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 70ns reverse recovery time ve optimize edilmiş switching energy karakteristikleri ile yüksek frekans anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Rochester Electronics tarafından üretilen bu ürün artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 95 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 144 A
Gate Charge 95 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 330 W
Reverse Recovery Time (trr) 70 ns
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 600µJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 60ns/155ns
Test Condition 400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok