Transistörler - IGBT - Tekil
IRGP6650D-EPBF
IGBT 600V 50A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGP6650D
IRGP6650D-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRGP6650D-EPBF, 600V kollektör-emitter breakdown voltajına ve 80A maksimum kolektör akımına sahip bir IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrolü, enerji yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 1.95V düşük açılış voltajı (Vce(on)) ve 50ns ters kurtarma süresi ile verimliliği artırır. 40ns/105ns açılış/kapanış gecikmesi ve 300µJ/630µJ anahtarlama enerjisi ile hızlı ve kontrollü komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Maksimum 306W güç seçeneği ile orta güç uygulamalarına uygundur. (Durum: Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 75 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 306 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 300µJ (on), 630µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok