Transistörler - IGBT - Tekil

IRGP6650D-EPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRGP6650D

IRGP6650D-EPBF Hakkında

IRGP6650D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Entegre recovery diode'a sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 80A collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu IGBT, güç dönüştürme sistemleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 40ns açılış ve 105ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 105 A
Gate Charge 75 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 306 W
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 300µJ (on), 630µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 40ns/105ns
Test Condition 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok