Transistörler - IGBT - Tekil

IRGP6640D-EPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRGP6640D

IRGP6640D-EPBF Hakkında

IRGP6640D-EPBF, entegre recovery diyot ile birlikte gelen 600V IGBT transistörüdür. 53A maksimum collector akımı ve 72A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 50nC gate charge ve 70ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 24A akımda 1.95V olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama enerjisi 90µJ (açılış) ve 600µJ (kapanış) değerlerindedir. İnvertör, motor sürücüsü, AC/DC güç kaynakları ve benzer anahtarlamalı güç dönüştürücü devrelerde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 53 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 72 A
Gate Charge 50 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 W
Reverse Recovery Time (trr) 70 ns
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 90µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 40ns/100ns
Test Condition 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok