Transistörler - IGBT - Tekil
IRGP4760PBF
IGBT 650V TO-247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGP4760
IRGP4760PBF Hakkında
IRGP4760PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 90A maksimum collector akımı ve 650V breakdown voltajı ile güç dönüştürme devrelerinde, invertörler, motor kontrol sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında çalışır. 145nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, Through Hole montajı destekler. Vce(on) değeri 2V olarak belirtilmiş olup, düşük doyum voltajı ile enerji kaybını minimize eder. Switching energy değerleri (1.7mJ açılış, 1mJ kapanış) ve Td (on/off) zamanlamaları 70ns/140ns tasarımcılara hızlı kontrol sağlayabilir. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 144 A |
| Gate Charge | 145 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 325 W |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 1.7mJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 70ns/140ns |
| Test Condition | 400V, 48A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 48A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok