Transistörler - IGBT - Tekil
IRGP4760PBF
IGBT WITH RECOVERY DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGP4760
IRGP4760PBF Hakkında
IRGP4760PBF, dahili recovery diode'lu bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 90A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu komponent, 325W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ile 70ns on ve 140ns off gecikmesi sağlar. -40°C ile +175°C arasında güvenli çalışır. Güç dönüştürme uygulamalarında, endüstri sürücülerinde, kaynak makinelerinde ve diğer yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. 145nC gate charge değeri ile kontrollü anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 144 A |
| Gate Charge | 145 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 325 W |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 1.7mJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 70ns/140ns |
| Test Condition | 400V, 48A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 48A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok