Transistörler - IGBT - Tekil
IRGP4750DPBF
IGBT 650V TO-247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGP4750D
IRGP4750DPBF Hakkında
IRGP4750DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 70A collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 273W maksimum güç dağılım kapasitesi, 105nC gate charge ve 150ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 35A akımda 2V'dir. Standart input type ve through-hole montaj özelliğine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında verimli çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 105 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 273 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok