Transistörler - IGBT - Tekil
IRGP4750D-EPBF
IGBT 650V 70A 273W TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGP4750D
IRGP4750D-EPBF Hakkında
IRGP4750D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 70A kapasiteli IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 273W güç yönetebilen transistör, 2V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 105nC gate charge ve 150ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. İçinde bulunan 50ns on-delay ve 105ns off-delay, hızlı anahtarlama gerektirenişletme uygulamalarında tercih edilir. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve UPS sistemleri gibi güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu parça obsolete statüdedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 105 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 273 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok