Transistörler - IGBT - Tekil
IRGP4750D-EPBF
IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGP4750D
IRGP4750D-EPBF Hakkında
IRGP4750D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Ultrafast soft recovery diyot özelliğine sahip olan bu komponent, 70A maksimum collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan cihaz, -40°C ile +175°C arasında çalışabilmektedir. 273W maksimum güç derecelendirmesi ve 150ns reverse recovery süresi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V, 35A şartlarında 2V olup, 650V breakdown voltajı ile yüksek gerilim endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter devreleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 105 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 273 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok