Transistörler - IGBT - Tekil
IRGIB6B60KD116P
IGBT 600V 11A 38W TO220FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGIB6B60KD
IRGIB6B60KD116P Hakkında
IRGIB6B60KD116P, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, 11A sürekli kolektör akımı ve 22A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 38W gücü işleyebilen ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolünde ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. 2.2V Vce(on) değeri ve 110µJ açılma / 135µJ kapanma switching enerjisi ile verimli çalışma sağlar. Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Gate Charge | 18.2 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
| Switching Energy | 110µJ (on), 135µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/215ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok