Transistörler - IGBT - Tekil
IRGIB10B60KD1P
IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGIB10B60KD1P
IRGIB10B60KD1P Hakkında
IRGIB10B60KD1P, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 16A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Entegre ultrafast soft recovery diyotü sayesinde switching kaybını minimize ederek enerji verimliliği artırır. 44W maksimum güç dağıtımına ve -55°C ile 175°C arasında çalışmaya kapasitedir. 79ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 41nC gate charge ve düşük on/off gecikmesi ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 32 A |
| Gate Charge | 41 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 44 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 79 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
| Switching Energy | 156µJ (on), 165µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok