Transistörler - IGBT - Tekil

IRGC50B120UB

IGBT CHIP

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IRGC50B120UB

IRGC50B120UB Hakkında

IRGC50B120UB, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) entegre devresi olup, maksimum 50A kolektör akımı ve 1200V gerilim dayanımına sahiptir. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15V gate gerilimi ve 50A akımda maksimum 3.5V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç elektronik sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Surface mount teknolojisine uyumlu olup, standart giriş tipi konfigürasyonundadır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok