Transistörler - IGBT - Tekil
IRGC4275B
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGC4275B
IRGC4275B Hakkında
IRGC4275B, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. Die formunda sunulan bu bileşen, 650V collector-emitter breakdown voltajında ve 200A nominal akımda çalışmaya uygundur. 1.9V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 380 nC olup, on/off geçiş süreleri sırasıyla 130ns/280ns'dir. -40°C ile +175°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Elektrik ve endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücülerinde kullanılan kritik bir anahtarlama elemanıdır. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Gate Charge | 380 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 130ns/280ns |
| Test Condition | 400V, 200A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok