Transistörler - IGBT - Tekil

IRGC35B60PB

IGBT CHIP

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IRGC35B60PB

IRGC35B60PB Hakkında

IRGC35B60PB, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Die format pakette sunulan bu komponent, maksimum 600V collector-emitter bozulma voltajı ile çalışır. 15V gate voltajında 10A kollektör akımında maksimum 1.7V açık durum voltajına (Vce(on)) sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, şu anda üretim dışında olan bu bileşen, inverter, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir IGBT transistöründür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok