Transistörler - IGBT - Tekil
IRGC10B60KB
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGC10B60KB
IRGC10B60KB Hakkında
IRGC10B60KB, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) entegre devresidir. Bu tekil IGBT çipi, maksimum 10A collector akımı ve 600V collector-emitter bozulma gerilimi ile düşük güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. Standard giriş tipi ile kontrol edilen bu bileşen, 1.3V On-state gerilimi (Vce) ile verimli çalışma karakteristiğine sahiptir. Die pakajında sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Üretim durdurulmuş (obsolete) durumda olmasına rağmen, mevcut stoklar sınırlı uygulamalar için hala tedarik edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok