Transistörler - IGBT - Tekil
IRGBF20F
IGBT FAST 900V 20A TO-220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGBF20F
IRGBF20F Hakkında
IRGBF20F, Infineon Technologies tarafından üretilen 900V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20A nominal akım kapasitesi ve 60W maksimum güç dağıtımı özelliklerine sahiptir. Vce(on) değeri 4.3V (15V gate voltajında, 5.3A kollektör akımında) olarak belirlenmiştir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C junction sıcaklığı) sayesinde çeşitli endüstriyel ve elektrik uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlama tipi IGBT olarak tasarlanmış bu komponentin Vce(sat) karakteristikleri, düşük iletim kaybı gerektiren uygulamalara uygunluk sağlar. Through-hole montaj tipine sahip olan IRGBF20F, klasik PCB tasarımlarında kolaylıkla entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5.3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok