Transistörler - IGBT - Tekil

IRGBC30FD2

IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRGBC30FD2

IRGBC30FD2 Hakkında

IRGBC30FD2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/31A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Entegre freewheeling diyodla birlikte gelen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V (Vce(on)) ile karakterize edilen düşük on-state voltajı, güç kaybını minimize eder. TO-220AB paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 100W'ye kadar güç hızlandırabilir. Elektrik motor sürücüleri, invertörler ve hızlı anahtarlamalı güç dönüştürücü devrelerinde uygulanır. Kesintiye uğramış durumdaki bu ürün, stok tükenene kadar temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 31 A
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok