Transistörler - IGBT - Tekil
IRGB5B120KDPBF
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGB5B120KD
IRGB5B120KDPBF Hakkında
IRGB5B120KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip NPT tipi IGBT transistördür. 12A sürekli kollektör akımı ile 89W maksimum güç kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 25nC gate charge ve 160ns reverse recovery time özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, enerji dönüştürücüler ve benzer yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 25 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 89 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 160 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 390µJ (on), 330µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/100ns |
| Test Condition | 600V, 6A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok