Transistörler - IGBT - Tekil
IRGB4B60KPBF
IGBT 600V 12A 63W TO220A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGB4B60K
IRGB4B60KPBF Hakkında
IRGB4B60KPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 600V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 12A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 63W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 4A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Gate charge 12nC ile düşük geçiş enerji gereksinimi sağlar. Switching energy değerleri (on için 130µJ, off için 83µJ) hızlı anahtarlama performansını gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devrelerinde uygulanır. Bileşen, üretim sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, stok kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 12 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 63 W |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 130µJ (on), 83µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok