Transistörler - IGBT - Tekil
IRGB20B60PD1PBF
IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD1PBF Hakkında
IRGB20B60PD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 40A maksimum collector akımı ve 600V kolektör-emiter gerilim dayanımına sahiptir. NPT (Non-Punch Through) teknolojisinde tasarlanmış olan bu bileşen, güç yönetimi ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 68nC gate charge ve 95µJ açılış/100µJ kapanış switching enerjisine sahiptir. Endüstriyel sürücü devreleri, inverter tasarımları ve PWM kontrolüne ihtiyaç duyan sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 68 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 215 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 95µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/115ns |
| Test Condition | 390V, 13A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok