Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P60N120KDPBF
IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P60N120KD
IRG8P60N120KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P60N120KDPBF, 1200V breakdown voltage'a sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 100A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 420W maksimum güç disipasyonu, 345nC gate charge ve 2.8mJ açılış, 2.3mJ kapanış switching energy değerlerine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, kaynak makineleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) maksimum değeri 2V (15V gate, 40A collector akımında) olup düşük kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 345 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 420 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 210 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/240ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok