Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P60N120KD-EPBF
IGBT 1200V 100A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P60N120KD
IRG8P60N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P60N120KD-EPBF, 1200V kollektör-emitter gerilimi ve 100A maksimum drain akımına sahip tekil IGBT transistördür. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 345 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum 420W güç kapasitesine sahip olan bileşen, güç kaynakları, motor kontrol cihazları, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Bileşen Obsolete (tükendi) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 345 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 420 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 210 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/240ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok