Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P60N120KD-EPBF
IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P60N120
IRG8P60N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P60N120KD-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 100A sürekli kolektör akımı ve 120A nabız akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600V test şartlarında 2V Vce(on) değerine sahip olup, 420W maksimum güç dissipasyonu sağlayabilir. Ön ve arka açılış gecikmesi sırasıyla 40ns ve 240ns'dir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde uygulanır. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 150°C arasındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 345 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 420 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 210 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/240ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok