Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P50N120KDPBF
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P50N120KDPBF
IRG8P50N120KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P50N120KDPBF, 1200V kollektör-emitter geriliminde çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 80A sürekli kollektör akımı ve 105A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor sürücülerinde ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 2V Vce(on) voltajı ile düşük iletim kaybı sağlar. 315nC kapı yükü ve 35ns/190ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün Obsolete (üretilmeyen) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 315 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 170 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/190ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok