Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P50N120KD-EPBF
IGBT 1200V 80A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P50N120KD
IRG8P50N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P50N120KD-EPBF, 1200V kolektör-emiter aralığında çalışan bir IGBT transistörüdür. 80A sürekli akım kapasitesine (105A pik değer) sahip olan bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 350W güç tüketimine ve 2V saturation voltajına (15V gate voltajında, 35A akımda) sahiptir. Gating karakteristiği 315nC ile tanımlanmış olup, iyileştirilmiş anahtarlama performansı için optimize edilmiştir (on: 2.3mJ, off: 1.9mJ). Reverse recovery time değeri 170ns olan bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 315 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 170 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/190ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok