Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P50N120KD-EPBF
IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P50N120
IRG8P50N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P50N120KD-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT transistördür. Maksimum 80A sürekli kollektör akımı ve 105A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350W maksimum disipasyon gücü ile endüstriyel motor kontrol devreleri, güç kaynakları, kaynak makineleri ve enerji dönüştürücülerinde yer alır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışır. 2V Vce(on) değeri düşük iletim kaybı sağlarken, 35ns açılış ve 190ns kapanış süresi hızlı anahtarlama performansı sunar. 315nC gate charge değeri ile sürücü devresine orta ölçüde yük uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Gate Charge | 315 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 170 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/190ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok