Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P40N120KDPBF
IGBT 1200V 60A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P40N120KD
IRG8P40N120KDPBF Hakkında
IRG8P40N120KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 60A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 305W maksimum güç dissipasyonuna sahip olan cihaz, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 2V'dur. 240nC gate charge ve 80ns reverse recovery time değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Endüstriyel güç elektronikleri, motor sürücüleri, şarj cihazları ve solar inverter gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 240 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 305 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/245ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok