Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P40N120KD-EPBF
IGBT 1200V 60A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P40N120KD
IRG8P40N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P40N120KD-EPBF, 1200V voltaj sınıfında çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 60A sürekli ve 75A atımlı akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sağlanan bu transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 2V düşük açık durum voltajı (Vce(on)) ve 240nC gate charge değerleri ile verimli komütasyon özellikleri sunmaktadır. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. İnverter, motor sürücü ve SMPS (Switched Mode Power Supply) gibi yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen artık üretilmemekte (Obsolete) olup, yerini daha yeni modeller almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 240 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 305 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/245ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok