Transistörler - IGBT - Tekil

IRG8P25N120KDPBF

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG8P25N120

IRG8P25N120KDPBF Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P25N120KDPBF, 1200V kollektör-emitör bozulma gerilimi ile çalışan bir IGBT transistördür. 40A maksimum kollektör akımı ve 180W güç yönetimi kapasitesi ile tasarlanmıştır. Standard input tipi ile çalışan bu komponent, TO-247-3 paket formatında sunulmaktadır. 20ns açılış ve 170ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Gate charge değeri 135nC olup, 70ns reverse recovery time sunmaktadır. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 150°C) güvenli çalışan bu transistör, enerji dönüştürme, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Part Status: Obsolete.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45 A
Gate Charge 135 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 180 W
Reverse Recovery Time (trr) 70 ns
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 800µJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 20ns/170ns
Test Condition 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok