Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P25N120KD-EPBF
IGBT 1200V 40A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P25N120KD
IRG8P25N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P25N120KD-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 40A IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. Maksimum collector akımı 40A (pulse modunda 45A), maksimum güç seviyesi 180W olup, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 15A akımında 2V'tur. 135nC gate charge ve 70ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. On/off delay zamanları sırasıyla 20ns/170ns olup, switching energy değerleri 800µJ (açılış) ve 900µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Industrial uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete statüsünde bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 135 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 180 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 800µJ (on), 900µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/170ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok