Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P15N120KD-EPBF
IGBT 1200V 30A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P15N120KD
IRG8P15N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P15N120KD-EPBF, 1200V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. 30A maksimum kolektör akımı kapasitesi ile medium güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 125W maksimum güç dissipasyonu ile çalışabilir. 98nC gate charge ve 15ns/170ns açılma/kapanma gecikmesi özellikleri ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. 60ns reverse recovery time karakteristiği ile enerji dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Endüstriyel inverter, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 98 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 600µJ (on), 600µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/170ns |
| Test Condition | 600V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok