Transistörler - IGBT - Tekil

IRG8P08N120KDPBF

IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRG8P08N120KD

IRG8P08N120KDPBF Hakkında

Rochester Electronics tarafından üretilen IRG8P08N120KDPBF, 1200V voltaj sınıfında çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 15A kolektör akımını ve 89W güç dağılımını destekler. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 5A akımda 2V olarak belirtilmiştir. 45nC gate charge ve 300µJ açılış/kapanış switching energy değerleri ile röle kontrol, inverter ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Reverse recovery time değeri 50ns olarak ölçülmüştür. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 15 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 15 A
Gate Charge 45 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power - Max 89 W
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 20ns/160ns
Test Condition 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok