Transistörler - IGBT - Tekil
IRG8P08N120KD-EPBF
IGBT 1200V 15A TO247AD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG8P08N120KD
IRG8P08N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P08N120KD-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. 15A maksimum collector akımı, 2V Vce(on) değeri ve 45nC gate charge özelliği ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 600V/5A test koşullarında 20ns açılış ve 160ns kapanış sürelerine sahiptir. 89W maksimum gücü ve 50ns reverse recovery time değeri ile hızlı switching uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, standart giriş tipine ve through-hole montaj türüne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 15 A |
| Gate Charge | 45 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 89 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Switching Energy | 300µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/160ns |
| Test Condition | 600V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok